Toshiba annuncia il nuovo arrivato della famiglia di MOSFET a bassa tensione. Il nuovo dispositivo a canale n, appartenente alla sempre più ampia famiglia di MOSFET per piccoli segnali SSM (Small-Signal MOSFET), è caratterizzato da perdite molto basse che lo rendono particolarmente adatto alla gestione della potenza in una vasta gamma di applicazioni portatili a batteria.

Grazie alla nuovissima tecnologia di processo a canale n di settima generazione, il nuovo MOSFET SSM3K333R è ottimizzato per i normali sistemi a commutazione di tensione. Ha una resistenza di conduzione (RDS(ON)) massima di soli 42 mOhm e 28 mOhm con tensioni di commutazione pari rispettivamente a VGS=4,5 V e 10 V.

Oltre alla bassissima resistenza che consente un funzionamento a basse perdite, indispensabile nelle apparecchiature alimentate e batteria, il MOSFET SSM3K333R sopporta una tensione massima tra drain e source (VDSS) di 30 V. Pertanto, il dispositivo è anche compatibile con molte applicazioni industriali per la gestione della potenza.

Un altro miglioramento è il nuovo contenitore SOT-23F, dotato di una resistenza termica significativamente più bassa rispetto ad altri contenitori di analoghe dimensioni. Questo miglioramento consente di ottenere una corrente nominale massima di 6 A e una potenza dissipabile al drain pari a 1 W, con un contenitore le cui dimensioni sono di appena 2,9 mm x 2,4 mm.
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