Toshiba Electronics Europe (TEE) estende la serie di IGBT compatti e integrati con un commutatore ad alta velocità in grado di semplificare il progetto e ridurre il numero dei componenti in elettrodomestici da cucina e altre applicazioni con riscaldamento a induzione.

Ottimizzato per la commutazione in inverter a risonanza serie, il nuovo GT40QR21 ad arricchimento (enhancement mode) a canale N da 1200 V comprende un IGBT e un diodo di ricircolo a recupero rapido integrati in un unico dispositivo compatto. Le correnti nominali massime sono rispettivamente 40 A a 25 ºC e 35 A a 100 ºC; l’IGBT funziona su un esteso range di temperature di giunzione, fino a 175 ºC.

Il dispositivo GT40QR21 di Toshiba è progettato per garantire commutazioni ultraveloci: con una corrente di collettore di 40 A, l’IGBT presenta un tempo di discesa (tf) di soli 0,2 μs e un tempo di spegnimento (toff) di soli 0,4 μs, mentre il tempo di recupero inverso (trr) del diodo di ricircolo è pari a 0,6 μs (IF = 15 A). La tensione di saturazione nominale tipica tra collettore ed emettitore (VCE(sat)) è di appena 1,9 V (IC = 40A).

Disponibile nel contenitore TO-3P(N), equivalente al TO247, l’IGBT ha dimensioni di 15,5 mm x 20,0 mm x 4,5 mm e una resistenza termica massima tra giunzione e contenitore (Rth(j-c)) pari a 0,65 ºC/W.
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