Peregrine Semiconductor, fornitore fabless di circuiti integrati (IC) di elevate prestazioni per radio frequenza (RF), ha consegnato il suo miliardesimo IC RF CMOS-on-sapphire che è stato utilizzato per progettare gli smartphone più alla moda del mondo. Questa pietra miliare è stata raggiunta con un nuovo Switch RF SP8T, uno dei diversi nuovi switch high-throw-count progettati sulla base dell’ultima versione di UltraCMOS™ process technology , SteP5, che è utilizzata per molti dei più recenti IC RF dell’Azienda, compresi i nuovissimi Switch RF SP8T e SP10T e i più recenti DuNE™ digitally tunable capacitor (DTC) per il tuning di impedenze RF. L’innovazione della tecnologia associata all’uscita dello SteP5 ha spinto la richiesta da parte di produttori di cellulari portatili e clienti globali verso i prodotti RF UltraCMOS fino ad un numero record di dispositivi per settimana.

Il processo produttivo UltraCMOS SteP5 porta con se una possibilità senza precedenti per il nostro team di progettazione,” ha affermato Rodd Novak, chief marketing officer di Peregrine Semiconductor. “ci ha permesso di sviluppare switch RF eccezionali che raggiungono prestazioni leader di mercato per linearità combinata, insertion loss, isolamento e consumo, il tutto monoliticamente integrato nel più piccolo ingombro di mercato. SteP5 ha anche aperto la porta a future categorie di prodotto per i Front-End RF,” ha aggiunto. “E con il  supporto della nostra forte catena distributiva e dei nostri impianti industriali, abbiamo raggiunto il passaggio alla produzione più veloce della storia Peregrine.”

Il network 4G/LTE ha introdotto sfide rilevati per i Front-End RF (RFFE) dei cellulari, incluso uno spettro RF frammentato, che dà luogo alla coesistenza di problematiche tra bande e altri standard wireless (GPS, Wi-Fi e Bluetooth). L’assenza di un allineamento globale delle frequenze porta a 28 bande LTE  che sono identificate nel 3rd Generation Partnership Project (3GPP) mobile standards specification (3GPP TS 36.101 V10).

Uno dei problemi più seri che i progettisti di portatili 4G e LTE devono fronteggiare è la coesistenza di bande multiple e la linearità richiesti per supportare un funzionamento senza self-jamming,” ha commentato Allen Nogee,  research director di In-Stat che si occupa del settore marketing del Wireless. “Il Front-End RF sostiene la maggior parte dello sforzo per le prestazioni del segnale RF. Infatti, l’efficienza spettrale dell’LTE  è ottenuta a costo di una aumentata linearità e consumo. I nuovi prodotti UltraCMOS STeP5 di Peregrine dimostrano proprio di aver colpito  nel segno dell’esigenza,” ha aggiunto.

L’ ultima famiglia Peregrine di Switch RF high-throw-count  include i dispositivi PE426151, PE426152, PE426153 SP10T, e i dispositivi PE426821 e PE426851 SP8T con opzioni di interfaccia MIPI, SPI o GPIO integrate. Questi nuovi dispositivi supportano la linearità 4G LTE RFFE e la insertion loss richiesta in tutte le situazioni:

  • Switch RF  PE426821 e PE426851 SP8T. Insertion loss (0.35 dB a 900 MHz e 0.45 dB a 1900 MHz); linearità (2fo,3fo è -42 dBm da 824 MHz a 2.6 GHz); IMD2/3 di -111 dBm; isolamento  37 dB in ogni direzione (900/1900 MHz);  4kV HBM ESD (ANT) e 2kV (su tutti i pin). Funzionanti a 3 GHz e offerti nel  flip-chip known good die (KGD).
  • Switch RF PE426151, PE426152 e PE426153 SP10T. Insertion loss (0.4 dB a 900 MHz e 0.5 dB a 1900 MHz); linearità (2fo,3fo è -42 dBm da 824 MHz a 2.6 GHz); IMD2/3 di -111 dBm; isolamento 38 dB in ogni direzione (900/1900 MHz);  4kV HBM ESD (ANT) e 2kV (su tutti i pin). Funzionanti a 3 GHz e offerti nel  flip-chip known good die (KGD).

I nuovo Switch RF STeP5 sono già in produzione per grandi volumi.
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