Toshiba Electronics Europe (TEE) ha annunciato gli IGBT di sesta generazione in grado di offrire un migliore compromesso tra perdite di commutazione e perdite di conduzione con una maggiore efficienza e migliori prestazioni. La nuova tecnologia di sesta generazione è alla  base di una nuova famiglia di dispositivi compatti da 600 V adatti per una varietà di sistemi a commutazione “brusca” (hard switching), tra cui azionamenti, inverter fotovoltaici e gruppi di continuità (UPS, Uninterruptible Power Supplies).

Gli IGBT Toshiba di sesta generazione combinano un design più fine con un processo di lavorazione dei wafer di tipo “punch-through” più sottile rispetto alla precedente generazione e presentano uno sviluppo verticale altamente  ottimizzato. I dispositivi basati sul nuovo processo sono quindi in grado di ridurre le perdite di conduzione VCE(sat)  e le perdite di commutazione Eon e Eoff.

I nuovi prodotti di sesta generazione sono caratterizzati da correnti nominali di 15 A (GT15J341), 20 A (GT20J341), 30 A (GT30J341) e 50 A (GT50J342). Ciascun componente comprende un IGBT e un diodo a recupero inverso rapido tra emettitore e collettore, inseriti entrambi in un unico contenitore compatto. Tutti i dispositivi presentano una VCE(sat) tipica di 1,5 V alla corrente nominale. I componenti da 15 A e 20 A sono in contenitore isolato TO-220SIS, mentre i dispositivi da 30 A e 50 A sono disponibili nel contenitore non isolato TO-3P(N) (equivalente al TO-247).

Il miglioramento nell’efficienza e nelle prestazioni dei nuovi dispositivi può essere osservato ad esempio confrontando il modello GT50J342 da 50 A e il modello GT30J341 da 30 A con i rispettivi predecessori. A TC  = 150 °C, con una corrente di 50 A, il dispositivo GT50J342 fornisce una riduzione della VCE(sat) pari al 32% e una riduzione delle Eon e Eoff pari rispettivamente al 13% e al 26%. Ciò riduce le perdite totali del 24% (con una tensione del bus in continua pari a 300 V e una frequenza di commutazione dell’IGBT pari a 20 kHz). A TC = 150 °C, con una corrente di 30 A, il dispositivo GT30J341 fornisce una riduzione della VCE(sat) pari al 30% e una riduzione delle Eon e Eoff pari rispettivamente al 12% e al 33%. Ciò riduce le perdite complessive del 26% (tensione del bus in continua pari a 300 V e frequenza di commutazione dell’IGBT pari a 20 kHz).
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