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Altera e TSMC hanno annunciato una collaborazione di tipo tecnologico relativa all’utilizzo dell’avanzata tecnologia di processo Embedded Flash (EmbFlash) a 55nm di TSMC. I dispositivi programmabili basati sulla tecnologia EmbFlash a 55 nm di TSMC potranno essere usati in un’ampia gamma di applicazioni caratterizzate da elevati volumi e bassi consumi, tipiche ad esempio del mercato industriale e automobilistico.

Rispetto alla tecnologia embedded flash della precedente generazione, la nuova EmbFlash a 55 nm di TSMC assicura maggiore velocità di elaborazione, incremento della densità di gate di un fattore pari a 10 e riduzione delle celle flash e SRAM in misura pari al 70 e all’80% rispettivamente. I dispositivi programmabili di Altera basati sul processo EmbFlash a 55 nm permetteranno agli sviluppatori di realizzare sistemi non volatili ricchi di funzionalità destinati ad applicazioni dove sono previsti volumi elevati.

La nostra cooperazione con TSMC – ha commentato Reda Razouk, vice president per lo sviluppo delle tecnologie di processo di Altera – prevede un impegno congiunto che ha l’obbiettivo di rendere disponibili le più recenti tecnologie e risorse ai clienti. L’aggiunta del processo EmbFlash a 55 nm al nostro portafoglio di prodotti ci permette di ampliare una strategia che prevede l’ottimizzazione delle diverse famiglie di dispositivi in base alla tecnologia di processo, all’architettura e ai blocchi IP specifici per soddisfare al meglio i requisiti dei vari sistemi”.

I nostri continui investimenti in tecnologie come la nuova EmbFlash a 55 nm – ha sostenuto Jason Chen, senior vice president per le vendite e il marketing mondiale di TSMC – consentono a clienti come Altera di ampliare notevolmente le loro opportunità. L’allineamento con i nostri obiettivi tecnologici e di business permette ad Altera di rendere più competitivi i prodotti dei suoi clienti”.

TSMC è la più importante fonderia di silicio a livello mondiale, in grado di fornire la più avanzata tecnologia di processo unitamente al più ampio portafoglio di librerie verificate in base al processo, IP, tool di progetto e flussi di riferimento. Nel 2012 la società ha gestito complessivamente 15,1 milioni di wafer (8” equivalenti), inclusa la capacità di tre fabbriche avanzate GIGAFAB™ per wafer da 12”, quattro fabbriche per wafer da 8”, una fabbrica per wafer da 6” e quella delle filiali WaferTech e TSMC Cina e della joint venture SSMC. TSMC è la prima fonderia ad aver realizzato dispositivi in tecnologia da 28 nm.

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