Toshiba_DTMOS

Toshiba Electronics Europe (TEE) ha annunciato il lancio in Europa di una famiglia di MOSFET da 600 V con un diodo intrinseco integrato ad alta velocità. Basati sul processo produttivo di quarta generazione da 600 V denominato DTMOS IV a super giunzione, i nuovi MOSFET permetteranno di migliorare l’efficienza energetica di alimentatori a commutazione, micro inverter, adattatori e inverter fotovoltaici.

I nuovi dispositivi TK16A60W5, TK31J60W5 e TK39J60W5 migliorano significativamente l’efficienza energetica grazia a combinando il miglior parametro caratteristico sul mercato in termini di RDS(ON)xA (resistenza di conduzione per area) con un rapido tempo di recupero inverso del diodo integrato. Inoltre, l’utilizzo di un singolo processo epitassiale garantisce un minino aumento di resistenza di conduzione e tempo di recupero in condizioni di temperatura elevata. Il modello TK16A60W5 viene fornito in un contenitore TO-220SIS. La corrente nominale massima (ID) è di 15,8 A e a la RDS(ON) di 0,23 Ω. Il diodo garantisce un eccellente tempo di recupero inverso tipico (trr) di 100 ns. A confronto, la versione standard ha un valore di trr pari a 280 ns. Entrambi i modelli TK31J60W5 e TK39J60W5 vengono forniti in un contenitore TO-3P(N) e hanno una corrente nominale massima rispettivamente di 30,8 A e 38,8 A. Le loro RDS(ON) nominali (VGS = 10V) sono rispettivamente di soli 0,099 Ω e 0,074 Ω. I valori caratteristici trr del diodo sono di 135 ns e 150 ns. La disponibilità delle varianti in contenitore TO-247 è pianificata per l’autunno 2013.

I MOSFET a super giunzione garantiscono una bassissima resistenza nello stato di conduzione senza essere penalizzati dalla perdite di potenza. Utilizzando l’avanzato processo epitassiale singolo di Toshiba, la serie di MOSFET di quarta generazione DTMOS IV da 600 V offre una riduzione del 30% della figura di merito tipica dei MOSFET, costituita dal prodotto della RDS(ON) per l’area A, rispetto ai predecessori della serie DTMOS III. Una riduzione del prodotto RDS(ON)xA permette di abbassare la resistenza dei chip mantenendo lo stesso contenitore, contribuendo a migliorare il rendimento energetico e a ridurre le dimensioni degli alimentatori.

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