FD_SOI

Un gruppo di 19 società e istituzioni accademiche europee leader hanno annunciato il lancio di Places2Be, progetto triennale da 360 milioni di euro per una linea pilota a tecnologia avanzata che ha l’obiettivo di supportare l’industrializzazione della tecnologia microelettronica denominata Fully-Depleted Silicon-On-Insulator (FD-SOI).

Guidato da STMicroelectronics, Places2Be (“Pilot Lines for Advanced CMOS Enhanced by SOI in 2x nodes, Built in Europe”, linee pilota per il CMOS avanzato arricchito con SOI nei nodi 2x, realizzate in Europa) ha l’obiettivo di aiutare nella implementazione di una linea pilota FD-SOI nel nodo tecnologico da 28 nm e in quello successivo, e nella realizzazione di una fonte alternativa che permetta la produzione di massa in Europa. Places2Be stimolerà la creazione di un ecosistema europeo per la progettazione elettronica basata su questa piattaforma FD-SOI e incoraggerà l’esplorazione del percorso verso la tappa successiva di questa tecnologia (14/10 nm).

L’FD-SOI è un’alternativa di prossima generazione, a basso consumo ed alte prestazioni, alle tecnologie convenzionali (“bulk”) su silicio e FinFET. Si prevede che i primi system-on-chip in tecnologia FD-SOI saranno impiegati nelle applicazioni di elettronica di consumo e nei sistemi di rete e di calcolo a elevate prestazioni.

Con un budget di circa 360 milioni di euro, la partecipazione di 19 partner di sette diversi Paesi e il coinvolgimento previsto di circa 500 ingegneri in tutta Europa per un periodo di tre anni, Places2Be è oggi il più grande progetto della JU (Joint Undertaking) ENIAC ed è supportato anche dalle Pubbliche Amministrazioni Nazionali dei Paesi partecipanti. Places2Be è uno dei progetti di linea pilota per le tecnologie chiave abilitanti (KET, key enabling technologies) contrattualizzato dalla JU ENIAC per lo sviluppo di tecnologie e aree applicative di grande impatto sulla società.

Le risorse di produzione FD-SOI per il progetto sono ubicate in ciascuno dei due principali cluster microelettronici europei: la linea pilota presso lo stabilimento della STMicroelectronics a Crolles (nei pressi di Grenoble, in Francia) e la fonte alternativa presso lo stabilimento fab 1 di GlobalFoundries a Dresda (Germania).

Il seguente video illustra le caratteristiche di questa tecnologia:


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L’acronimo FD-SOI sta per “Fully-Depleted Silicon-On-Insulator”; questa tecnologia migliora il controllo elettrostatico del canale del transistor, aumentando le prestazioni e l’efficienza energetica del transistor. Più precisamente, Places2Be utilizza l’UTBB (Ultra-Thin Body and Buried oxide) FD-SOI, che permette di regolare in modo dinamico le prestazioni del transistor durante il funzionamento, da basso consumo ad alta velocità.

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