DeepGATE

STMicroelectronics  ha presentato la sua più recente generazione di dispositivi di potenza ad efficienza energetica che riducono l’impatto ambientale di apparecchiature come sistemi di calcolo o telecomunicazione, inverter solari, applicazioni nel settore dell’automobile e dell’automazione industriale.

I nuovi MOSFET STripFET™ VII DeepGATE™ di ST offrono la miglior efficienza in conduzione tra tutti i dispositivi da 80 V e 100 V attualmente disponibili, e aumentano contemporaneamente l’efficienza di commutazione. Inoltre, i dispositivi aiutano a semplificare il progetto e ridurre le dimensioni e i costi delle apparecchiature poiché permettono di raggiungere gli obiettivi di efficienza e di potenza del sistema utilizzando un numero inferiore di componenti, in package più piccoli.

Il vantaggio della tecnologia STripFET VII DeepGATE è una struttura del gate del MOSFET migliorata, che riduce la resistenza in conduzione (on) del dispositivo riducendo anche la carica di gate e la capacità interna, per garantire una commutazione più veloce ed efficiente. Inoltre, i dispositivi dimostrano una notevole robustezza in condizioni di effetto valanga e possono quindi superare situazioni potenzialmente molto critiche. Per questo sono un’ottima scelta per applicazioni nel settore dell’automobile.

Oltre 15 dispositivi STripFET VII DeepGATE sono immediatamente disponibili per campionature o ordini di produzione, tra cui il componente STP270N8F7 da 80 V e diversi componenti da 100 V in package come TO-220, DPAK, PowerFLAT™ 5×6, e H2PAK a 2 o 6 terminali.

La tecnologia STripFET VII DeepGATE si aggiunge all’ampio portafoglio di tecnologie MOSFET della ST offrendo robustezza, densità di potenza ed efficienza all’avanguardia nell’industria, a valori di tensione fondamentali per molte differenti applicazioni. La tecnologia STripFET VII DeepGATE è ideale per sistemi che funzionano con tensioni DC di 48 V, molto comuni nelle applicazioni telecom. I dispositivi specificati a 80 V o 100 V hanno un margine di sicurezza adeguato per sopportare i tipici picchi di sovratensione di un sistema alimentato a 48 V. La tecnologia STripFET VII DeepGATE viene scelta anche per applicazioni che richiedono una notevole robustezza, nel settore dei sistemi per automobile alimentati a 12 V o 24 V.

Per garantire un’efficienza ottimale a tensioni più elevate sono necessarie altre tecnologie, come la tecnologia a super-giunzione MDmesh™. I dispositivi MDmesh da 600 V o 650 V offrono margini di sicurezza adeguati per applicazioni come gli alimentatori AC/DC, i ballast per illuminazione e i pannelli di visualizzazione. Di recente, la ST ha annunciato una nuova famiglia MDmesh ad elevata efficienza con una bassa carica di gate da utilizzare nei convertitori risonanti, per esempio gli alimentatori  per TV LCD (MDmesh II Low Qg).

www.st.com