100VBoostPak

Fairchild Semiconductor ottimizza il processo di selezione di MOSFET e diodi introducendo la famiglia di dispositivi 100 V BoostPak che combina un MOSFET e un diodo in un unico package per sostituire le soluzioni discrete attualmente utilizzate nella retroilluminazione di monitor e televisori a LED, nell’illuminazione a LED e nei convertitori DC-DC.

Integrando MOSFET e diodo nel medesimo package, i dispositivi FDD1600N10ALZD e FDD850N10LD fanno risparmiare spazio su scheda, semplificano l’assemblaggio, riducono i costi della componentistica e aumentano l’affidabilità dell’applicazione.

I dispositivi possiedono un MOSFET a canale N fabbricato mediante processo Fairchild PowerTrench modificato per minimizzare la resistenza on-state pur mantenendo superiori prestazioni di switching. Il diodo NP è un diodo raddrizzatore iperveloce con un’inferiore caduta di tensione ed eccellenti performance di commutazione. Le perdite di tensione sono decisamente inferiori a quelle di un diodo Shottky, accorgimento che migliora l’affidabilità del sistema nelle applicazioni ad alta temperatura.

Principali caratteristiche:

FDD1600N10ALZD:

RDS(ON) = 124 mΩ (tip.)@ VGS = 10 V, ID = 3.4 A
RDS(ON) = 175 mΩ (tip.)@ VGS = 5 V, ID = 2.1 A
Bassa carica di gate = 2,78 nC (tip.)
Basso Crss = 2,04 pF (tip.)

FDD850N10LD:

RDS(ON) = 61 mΩ (tip.)@ VGS = 10 V, ID = 12 A
RDS(ON) = 64 mΩ (tip.)@ VGS = 5,0 V, ID = 12 A
Bassa carica di gate = 22,2 nC (tip.)
Basso Crss = 42 pF (tip.)

Entrambi i dispositivi:

Commutazione rapida
100% testati su effetto valanga
Migliore capacità dv/dt
Conformi RoHS

www.fairchildsemi.com