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Fairchild Semiconductor presenta una serie di IGBT Field Stop Trench da 1200 V. Dedicata alle applicazioni industriali che richiedono hard switching come inverter solari, gruppi di continuità e  di saldatrici, questa nuova serie di IGBT aiuterà i progettisti a ottenere superiori livelli di efficienza e affidabilità.

 

La nuova serie di IGBT Field Stop Trench da 1200 V minimizza le perdite di conduzione grazie a un valore VCE(SAT) pari a 1,8 V, notevolmente inferiore rispetto alla precedente generazione di IGBT NPT a commutazione veloce. Questi nuovi dispositivi vantano uno dei più bassi VCE(SAT) riscontrabili sul mercato degli IGBT fast-switching da 1200 V. Le perdite di commutazione sono contenute, con un valore EOFF inferiore a 30 µJ/A. Tutti i dispositivi contengono un diodo complementare per la commutazione veloce.

 

Tecnologie innovative per l’elettronica di potenza sono indispensabili per aiutare i fabbricanti di inverter solari a ridurre i costi, aumentare l’efficienza e migliorare l’affidabilità“, ha dichiarato MH Lee, Director, Industrial Power Systems di Fairchild. “La nostra serie di IGBT Field Stop Trench da 1200 V aiuta i clienti a raggiungere un’efficienza energetica superiore e un’elevata affidabilità nella progettazione degli inverter solari, permettendo ai fabbricanti di rispettare le normative vigenti e soddisfare la richiesta di risparmio energetico espressa dagli utilizzatori finali“.

 

La serie di IGBT Field Stop Trench da 1200 V consente inoltre ai progettisti di far funzionare i dispositivi a frequenze di commutazione superiori rispetto alle soluzioni concorrenti, aiutando a ridurre le dimensioni e i costi dei condensatori e dei componenti induttivi del circuito. La conseguenza è un design di sistema dalla superiore densità di potenza, dalle dimensioni inferiori e da costi di BOM minori.

 

Questa serie di IGBT è testata al 100% per commutazione induttiva con clamping a livelli di corrente pari a quattro volte la corrente nominale prevista in modo da garantire una  SOA, (Safe Operating Area) più ampia.

 

Questi prodotti sono disponibili nel package TO247 con piedini da 20mm, più piccolo rispetto al package TO264 della precedente famiglia, nelle versioni per 15, 25 e 40 A di corrente.

 

Caratteristiche e vantaggi:

  • Bassa tensione di saturazione: VCE(SAT) = 1.8 V @ corrente nominale di collettore (Ic)
  • Commutazione ad alta velocità: EOFF = 27 µJ/A
  • Ampia SOA (test di commutazione sul 100% del carico induttivo; ILM = 4 volte Ic nominale)
  • Facilità di funzionamento in parallelo (coefficiente di temperatura positivo)
  • Tj = 175 gradi C (massima temperatura di giunzione)
  • Elevata impedenza di ingresso
  • Conformità RoHS

Gli IGBT Field Stop Trench da 1200 V di Fairchild Semiconductor offrono una tecnologia avanzata per affrontare le sfide che i moderni design di sistema presentano in termini di efficienza energetica e fattore forma. Queste applicazioni fanno parte del portafoglio di soluzioni Fairchild di potenza discrete, analogiche e optoelettroniche che massimizzano il risparmio energetico nelle applicazioni più sensibili ai consumi elettrici.

 

www.fairchildsemi.com