UMOS_Toshiba

Toshiba Electronics Europe ha presentato gli ultimi modelli della sua serie di MOSFET ultra-efficienti UMOS VIII-H. I 32 nuovi dispositivi contribuiranno a far risparmiare spazio e a ridurre le perdite in raddrizzatori sincroni, commutatori sul lato primario o secondario e altri sistemi ad alta velocità che richiedono tensioni da 60 V a 250 V.

I nuovi MOSFET hanno tensioni nominali di 60, 80, 100, 150, 200 e 250 V e ogni componente è disponibile in una gamma di contenitori piatti SMD TSON Advance e SOP Advance, con rispettive aree di montaggio di soli 3 mm x 3 mm e 5 mm x 6 mm, mentre la resistenza di conduzione (RDS(ON)) per molti componenti della serie è la migliore sul mercato per questa categoria di prodotti. Ad esempio, il modello TPH4R50ANH da 100 V (RDS(ON) massima pari a 4,5 mΩ @ VGS = 10 V) e il modello TPH2900ENH da 200 V (RDS(ON) massima pari a 29 mΩ @ VGS = 10 V) combinano una piccolissima RDS(ON) con una carica di gate (Qg) e una capacità di ingresso (Ciss) molto basse.

I nuovi MOSFET UMOS VIII-H di Toshiba sono realizzati con processo UMOS a trincea di ottava generazione. Questo processo offre miglioramenti significativi ai parametri RDS(ON) e Ciss, ottimizza l’efficienza e la velocità di commutazione e riduce al minimo il rumore irradiato.

Gli utilizzi tipici di questi MOSFET SMD da 60 V a 250 V comprendono convertitori AC/DC e DC/DC per impianti industriali, elettrodomestici digitali, computer e videogiochi. I dispositivi da 80 V a 150 V sono particolarmente adatti all’alimentazione di vari sistemi di telecomunicazione.

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