Nuova memoria SLC NAND flash con correzione errori incorporata


Toshiba Electronics Europe (TEE) ha annunciato lo sviluppo di BENAND, una memoria flash NAND SLC (single level cell) versatile e multiuso, con codice di correzione errori (error correction code, ECC) incorporato. Le varie applicazioni delle memorie BENAND comprendono televisori LCD e fotocamere digitali, robot e altre applicazioni industriali. Le campionature dei primi 8 prodotti BENAND, suddivisi nelle due capacità 4 Gigabit e 8 Gigabit, saranno disponibili a partire da oggi, mentre la produzione di massa si avrà inizio a partire da marzo 2012.

La semplice interfaccia e l’elevata affidabilità delle memorie SLC NAND a bassa capacità sono alla base della sua diffusione in applicazioni consumer e nella programmazione industriale. Finora, il codice per la correzione degli errori veniva integrato nel processore host ed era in grado di correggere 1 bit su 512 byte. Ma i progressi della tecnologia di processo delle memorie richiedono una correzione degli errori più efficiente, superiore a 4 bit su 512 byte per le NAND flash fabbricate con un processo da 32 nm. Per le memorie NAND flash senza ECC, con processi da 32 nm e oltre, il controller del processore host va sostituito, al fine di garantire il livello di correzione richiesto.

BENAND rimuove il carico di elaborazione della funzione ECC dal processore host e riduce al minimo le modifiche al protocollo, permettendo ai processori host di supportare rapidamente le più recenti memorie flash NAND. BENAND incorpora una funzione ECC con correzione degli errori pari a 4 bit su 512 byte, nella nuova memoria Toshiba NAND flash realizzata con tecnologia di processo a 32 nm. È garantita la compatibilità con le normali SLC NAND flash, sia a livello sia di contenitore che di piedinatura, il che permette una agevole sostituzione dei prodotti esistenti. Toshiba prevede di estendere la gamma BENAND, al fine di includere prodotti NAND flash con processo a 24 nm dopo l’estate del 2012.
www.toshiba-components.com

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