Nuova serie di MOSFET da 60 V a 120 V da Toshiba


Toshiba Electronics Europe (TEE) ha annunciato una nuova serie di MOSFET estremamente efficienti ad alta velocità che offrono un significativo miglioramento nel compromesso tra bassa resistenza di conduzione (RDSON) e bassa capacità di ingresso (Ciss). La nuova serie di MOSFET a trincea (trench) sarà composta da dispositivi con tensione nominale da 60 V a 120 V e consentirà ai progettisti di ridurre le dimensioni e migliorare l’efficienza e le prestazioni del raddrizzamento secondario sincrono negli alimentatori a commutazione.

L’impiego del processo Toshiba U-MOSVIII-H a canale N di ottava generazione ha permesso all’azienda di ridurre la “cifra di merito” RDSON * Ciss di circa il 42% rispetto alla precedente generazione. Ciò migliora il rendimento  complessivo abbattendo contemporaneamente le perdite per conduzione e le perdite di pilotaggio, migliorando le velocità di commutazione. La nuova tecnologia di processo aiuta inoltre a minimizzare il rumore irradiato.

Tra i primi dispositivi della nuova serie vi sono i modelli TK100E08N1 e TK100E10N1, disponibili in contenitore TO-220, e i  modelli TK100A08N1 e TK100A10N1 disponibili nel contenitore TO-220SIS “ad isolamento intelligente”. Questi dispositivi, i migliori della categoria, presentano una tensione drain-source VDSS pari rispettivamente a 80 V (TK100E08N1 e TK100A08N1) e a 100 V (TK100E10N1 e TK100A10N1). Gli impieghi previsti vanno dagli adattatori AC/DC alle apparecchiature industriali, dai server alle apparecchiature per telecomunicazioni.

Per i MOSFET TK100*08, la resistenza di conduzione tipica (@ VGS = 10 V) è pari a 2,6 mΩ mentre la capacità Ciss tipica è di appena 9100 pF. Nel caso dei dispositivi TK100*10, RDSON (@ VGS = 10V) è pari a 2,8 mΩ per il contenitore TO-220 e a 3,2 mΩ per il contenitore TO-220SIS. Per entrambi i MOSFET, la capacità Ciss tipica è di soli 8800 pF.

L’intera gamma Toshiba di MOSFET da 80 V e 100 V basati sul processo U-MOSVIII-H comprende 18 dispositivi che offrono una gamma di valori per RDSON * Ciss in grado di soddisfare le esigenze di un’ampia varietà di sistemi di raddrizzamento sincrono. Nei mesi a venire, Toshiba introdurrà altri dispositivi da 60 V e 120 V, basati sulla medesima tecnologia.
www.toshiba-components.com

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