GT40WR21, un innovativo IGBT a conduzione inversa da 1800V


Toshiba ha annunciato un IGBT con un diodo di recupero integrato a conduzione inversa caratterizzato da una tensione nominale di 1800 V, uno dei valori più elevati sul mercato.

Il dispositivo GT40WR21 è particolarmente adatto per essere utilizzato in sistemi di riscaldamento o di cottura a induzione e in altre applicazioni che utilizzano inverter a commutazione con risonanza in tensione (voltage resonator inverter) di elevate prestazioni.

Il nuovo GT40WR21, un IGBT a conduzione inversa (RC-IGBT) a canale N da 1800 V, è composto da un diodo di ricircolo  monoliticamente integrato in un chip IGBT.  Il contenitore TO-3P(N), equivalente al TO247, misura appena 15,5 mm x 20,0 mm x 4,5 mm. L’elevata velocità di commutazione è resa possibile grazie a un tempo di discesa tipico dell’IGBT di soli 0,15 µs.

Il nuovo dispositivo Toshiba offre una corrente nominale di collettore (IC) di 40 A e può gestire correnti di picco di 80 A per 1 ms. La tensione di saturazione tipica a 40 A è di soli 2,9 V. La massima dissipazione di potenza al  collettore a 25 °C è pari a 375 W. Il diodo integrato è caratterizzato da una corrente diretta di 20 A e da una corrente di picco (per 100 µs) di 80 A.

Come per i precedenti modelli della famiglia di IGBT a canale N di Toshiba, anche il nuovo modello GT40WR21 sopporta temperature elevate, con un massimo di 175 °C alla giunzione (Tj). Le basse  perdite di commutazione allo spegnimento garantiscono un’elevata efficienza operativa.

www.toshiba-components.com

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