Toshiba presenta un nuovo contenitore LGA di elevate prestazioni per una linea di MOSFET a bassa RDS(ON)


Toshiba Electronics Europe (TEE) ha annunciato una serie di MOSFET a bassa resistenza di conduzione che utilizzano il nuovo contenitore UDFN6 ad elevate prestazioni. Questo compatto contenitore LGA da 2 x 2 mm2, che garantisce livelli di dissipazione di potenza dell’ordine di 1 watt, permette di gestire correnti elevate in uno spazio limitato, un requisito sempre più indispensabile nei moderni dispositivi mobili. Con le caratteristiche e le funzionalità aggiunte agli odierni dispositivi portatili, la durata della batteria e il tempo di ricarica sono fattori di interesse sempre maggiore. Ciò porta alla richiesta di MOSFET di elevate prestazioni, a canale singolo o doppio, in contenitori piccoli che vengono utilizzati nei sistemi di gestione della potenza, nei caricabatteria e nei circuiti di protezione.

La serie di MOSFET UDFN6 consiste di dispositivi a  canale p o n, singolo o doppio. La gamma a canale p è orientata alle esigenze delle apparecchiature di ricarica e dei sistemi di commutazione del carico, mentre la gamma a canale n è sviluppata in maniera specifica per la protezione della batteria e per i sistemi di ricarica wireless. I MOSFET a canale singolo ammettono una corrente di drain massima di 12 A mentre i MOSFET a canale doppio possono gestire al massimo 4 A. Grazie alla tecnologia UMOS-VI di Toshiba, il nuovo dispositivo SSM6J505NU a canale p singolo presenta una RDS(on)  di 61 mOhm (max) con una tensione di commutazione VGS di soli 1,2 V. In base alle esigenze, il progettista può optare per la gamma a canale p, con resistenza di conduzione compresa tra 12 e 95 mOhm (@ Vgs = 4,5 V) e capacità di ingresso compresa tra 290 e 2.700 pF, o per la gamma a canale n, con resistenza di conduzione compresa tra 26 e 64 mOhm (@ Vgs = 4,5 V) e capacità di ingresso compresa tra 270 e 620 pF. Per adattarsi ai diversi usi finali, la tensione di drain nominale massima è pari a 20 V per i dispositivi a canale p e a 30 V per i dispositivi a canale n.

I dispositivi a canale p singolo o doppio vengono identificati rispettivamente con i codici SSM6JxxxNU o SSM6PxxNU mentre i dispositivi a canale n singolo o doppio vengono identificati rispettivamente con i codici SSM6KxxxNU o SSM6NxxNU (XXX e XX indicano il numero di serie). Il nuovo contenitore UDFN6 viene anche utilizzato per altri dispositivi di elevate prestazioni, come le combinazioni MOSFET + diodo Schottky oppure MOSFET + transistor bipolare.
www.toshiba-components.com

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