Memorie NAND Flash con interfaccia seriale per applicazioni embedded compatibili SPI


Toshiba_Nand

Toshiba Electronics Europe ha presentato una nuova linea di prodotti di memoria flash NAND SLC da 24 nm per applicazioni che garantiscono la piena compatibilità con la diffusissima interfaccia seriale SPI (Serial Peripheral Interface). Le nuove memorie NAND con interfaccia seriale possono essere utilizzate in una vasta gamma di applicazioni elettroniche di largo consumo, come TV a schermo piatto, stampanti, dispositivi indossabili, e in diverse applicazioni industriali, ad esempio nei robot.

La nuova gamma di prodotti comprende modelli con tagli di capacità da 1 Gbit, 2 Gbit e 4 Gbit disponibili sia in contenitore SOP (10,3 mm x 7,5 mm) che in contenitore WSON (6,0 mm x 8,0 mm). Ciascuna combinazione di capacità/contenitore è disponibile a scelta con tensione di alimentazione di 1,8 V oppure 3,3 V.

Le funzioni di lettura sequenziale ad alta velocità, il codice a correzione di errori (ECC) con funzione di rilevazione dei bit alterati (bit flip) e le altre funzioni integrate per la protezione dei dati offrono un rapido accesso alle informazioni garantendo allo stesso tempo sicurezza e affidabilità.

L’interfaccia SPI permette ai dispositivi di essere controllati utilizzando solamente sei piedini, dando la possibilità ai progettisti di accedere a una memoria SLC NAND di grande capacità e piccole dimensioni con ridotto numero di segnali. Le memorie NAND con interfaccia seriale hanno un costo per bit molto più basso rispetto alle memorie flash NOR tipicamente utilizzate nelle applicazioni embedded.

Affinché i dispositivi elettronici embedded possano garantire le funzionalità avanzate oggi richieste dai clienti, è necessario che siano dotati di una maggiore capacità di memoria interna. La crescente domanda di capacità è trainata dalle maggiori dimensioni del software (compresi i programmi di avvio, il firmware e il sistema operativo embedded) e dei dati (compresi i file di log), il che suggerisce ai progettisti di passare alle memorie flash SLC NAND, per raggiungere gli obiettivi di elevata densità e alta affidabilità richiesti.

Con un intervallo di temperature di funzionamento compreso tra -40 °C e +85 °C, questi dispositivi sono adatti per affrontare la maggior parte delle applicazioni in ambito consumer e industriale. I campioni dei dispositivi in contenitore WSON e SOP saranno disponibili a partire dal mese in corso, mentre l’avvio della produzione in grande serie è previsto per dicembre 2015. Sono in corso di sviluppo anche dei dispositivi in contenitore BGA.

www.toshiba.semicon-storage.com

 

 

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