Infineon acquisisce Wolfspeed per 850 milioni di dollari in contanti


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Infineon Technologies e Cree hanno annunciato di aver stipulato un accordo definitivo che prevede l’acquisto da parte di Infineon della divisione “Wolfspeed Power and RF” (“Wolfspeed”) di Cree. L’accordo comprende anche la tecnologia e il relativo business dei wafer in SiC (carburo di silicio). Il prezzo della transazione è stato fissato in 850 milioni di dollari, con pagamento interamente in contanti.

Questa acquisizione permetterà a Infineon di fornire la più ampia offerta di semiconduttori composti, comprendenti carburo di silicio (SiC), nitruro di gallio su silicio (GaN-on-Si) e nitruro di gallio su carburo di silicio (GaN-on-SiC), rafforzando la leadership nel campo delle soluzioni di alimentazione di potenza e RF di potenza, in mercati in rapida crescita quali la mobilità elettrica, le fonti rinnovabili e le infrastrutture cellulari di nuova generazione, comprese quelle per IoT.

Il Dr. Reinhard Ploss, CEO di Infineon Technologies AG, ha dichiarato: “L’unione delle nostre forze con quelle di Wolfspeed rappresenta un’opportunità di crescita unica. Le competenze e il business di Wolfspeed e Infineon sono altamente complementari, con il nuovo gruppo di lavoro che riunisce i maggiori esperti del settore dei semiconduttori composti. Tutto questo ci consentirà di creare valore aggiunto per i nostri clienti, con il più ampio e completo portafoglio di tecnologie innovative e di semiconduttori composti disponibili sul mercato. Con Wolfspeed diventeremo il numero uno per quanto riguarda i semiconduttori di potenza SiC-based… ed è nostra intenzione diventare anche il numero uno nei dispositivi di potenza RF. Tutto questo accelererà l’introduzione sul mercato di queste tecnologie innovative, rispondendo alle esigenze della società moderna, dall’efficienza energetica alla connettività e  alla mobilità.”

Chuck Swoboda, Presidente e CEO di Cree, ha dichiarato: “Dopo molte considerazioni e precise valutazioni nel corso dell’ultimo anno, abbiamo concluso che la vendita Wolfspeed a Infineon è stata la decisione migliore per i nostri azionisti, dipendenti e clienti. Noi crediamo che Wolfspeed sarà ora in grado di commercializzare in modo migliore e più aggressivo la sua esclusiva tecnologia di carburo di silicio e nitruro di gallio all’interno di Infineon.”

Frank Plastina, CEO di Wolfspeed, ha dichiarato: “Con l’adesione al team di Infineon, Wolfspeed avrà ora tutti i vantaggi di una società globale nel nostro settore, con la possibilità di sfruttare il mercato e le infrastrutture di Infineon. Con le competenze di Infineon e con ulteriori investimenti, saremo meglio posizionati per sbloccare il potenziale rappresentato dal nostro portafoglio e dai nostri tecnici.”

Wolfspeed ha sede a Research Triangle Park nel North Carolina, Stati Uniti d’America, ed è stata una divisione di Cree per quasi tre decenni. Wolfspeed è uno dei principali fornitori di soluzioni di alimentazione di potenza basate su tecnologia SiC e prodotti RF di potenza su GaN-on-SiC. Naturalmente Wolfspeed possiede anche le competenze relative alla produzione di wafer per SiC nonché per SiC con uno strato di GaN monocristallino per applicazioni di potenza RF. Con queste competenze, più di 550 dipendenti altamente qualificati e un ampio portafoglio di circa 2.000 tra brevetti e domande di brevetto, questo accordo è complementare alla precedente acquisizione di International Rectifier all’inizio del 2015, con i prodotti SiC-based di Wolfspeed che sono ideali per integrare l’offerta di Infineon.

Le soluzioni di gestione dell’energia basate su semiconduttori composti presentano diversi vantaggi che permetteranno ai clienti di Infineon di sviluppare sistemi con una maggiore efficienza energetica, e dimensioni e costi inferiori. Combinando i portafogli di prodotti, tecnologie e capacità produttive, Infineon e Wolfspeed potranno accelerare lo sviluppo di nuovi componenti che daranno ai clienti la possibilità di diversificare i propri dispositivi e sistemi.

Le principali aree in cui le applicazioni beneficeranno della tecnologia SiC riguardano le energie rinnovabili e il mondo automotive. Entrambe le aree possono trarre profitto dalla maggiore densità di potenza e dalla maggiore efficienza. Nel settore automobilistico questa tecnologia è l’ideale per i veicoli ibridi, quelli plug-in e in tutte le soluzioni completamente elettriche.

La combinazione di entrambi i portafogli e delle competenze accelererà in modo significativo il time-to-market dei nuovi prodotti basati su semiconduttori composti.

L’infrastruttura ed i cellulari di prossimi generazione – 5G e oltre – utilizzeranno frequenze molto alte, fino a 80 GHz.  Solo avanzati semiconduttori composti sono in grado di fornire l’efficienza necessaria a queste frequenze. La tecnologia GaN-on-Si consente elevati livelli di integrazione ed offre i suoi vantaggi con frequenze sino a 10 GHz; a frequenze superiori, fino a 80 GHz, è la tecnologia GaN-on-SiC che garantisce la massima efficienza. Entrambe sono cruciali per le infrastrutture cellulari di prossima generazione. Sommando a tutto ciò i propri prodotti LDMOS basati su silicio, Infineon – con l’acquisizione di Wolfspeed – diventa sicuramente il fornitore con il più completo portafoglio di componenti di potenza per RF.

L’avanzato e completo portafoglio di prodotti rientra nell’approccio strategico “Product to System” di Infineon. La società beneficerà anche dell’adozione dei prodotti basati su SiC e GaN da parte dei mercati emergenti della mobilità elettrica, dei convertitori fotovoltaici di fascia alta, delle infrastrutture di ricarica dei veicoli elettrici e, soprattutto, delle infrastrutture cellulari di nuova generazione.

Infineon ha calcolato che l’acquisizione genererà un incremento del fatturato di 173 milioni di dollari nei prossimi 12 mesi aumentando il margine di profitto e gli utili per azione. Infineon finanzierà la transazione con un finanziamento bancario di 730 milioni di dollari e attingendo 130 milioni in contanti dalle proprie disponibilità. Questi impegni non intaccheranno la struttura patrimoniale di Infineon che mantiene le previsioni di un gross margin di 1 miliardo di dollari per il prossimo esercizio.

Sia il Consiglio di Amministrazione di Cree che il Consiglio di Sorveglianza di Infineon hanno approvato l’acquisizione. La chiusura della transazione è soggetta alle approvazioni normative in varie giurisdizioni e si prevede che si concluderà entro la fine dell’anno solare 2016.

www.infineon.com

 

 

Arsenio Spadoni

Journalist, ElettronicaIn Publisher & Founder, Futura Elettronica Founder,

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