MOSFET a canale N a bassissima resistenza di ON riducono del 40% la dissipazione di calore


Toshiba Electronics Europe ha introdotto due MOSFET a canale N per l’interruzione di carico nei dispositivi mobili, i quali forniscono una bassa resistenza di ON ai vertici della propria categoria. I dispositivi SSM6K513NU e SSM6K514NU contribuiscono ad assicurare un’efficienza elevata a livello di sistema e bassi consumi di potenza, e si prestano idealmente per l’impiego nelle applicazioni portatili di ultima generazione alimentate a batteria.

L’uso del processo trench “U-MOS IX-H series” di Toshiba fa sì che i MOSFET raggiungano valori molto bassi di resistenza di ON. I valori nominali di RDS(ON) sono pari a 6,5mΩ per il dispositivo SSM6K513NU da 30V e 8,9mΩ per il MOSFET SSM6K514NU da 40V. Ciò consente ai nuovi prodotti di ridurre la dissipazione di calore prodotta dalle perdite di accensione di circa il 40% rispetto ai prodotti esistenti di Toshiba, come il SSM6K504NU.

I MOSFET SSM6K513NU e SSM6K514NU sono adatti per l’uso in applicazioni di commutazione della potenza elettrica al di sopra dei 10W, inclusi i dispositivi mobili di piccole dimensioni che soddisfano gli standard USB di Tipo C e USB Power Delivery (PD). Entrambi i MOSFET sono alloggiati in package SOT-1220 compatti.

www.toshiba.semicon-storage.com

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