MOSFET di potenza a canale N da 40V/45V con la più bassa resistenza di ON sul mercato


Toshiba Electronics Europe ha ampliato la propria serie U-MOS IX-H di MOSFET di potenza a canale N con i nuovi prodotti da 40V e da 45V che forniscono i valori più bassi di resistenza di ON sul mercato e prestazioni di velocità elevate. I nuovi prodotti – nove versioni da 40V e cinque da 45V – sono progettati per applicazioni industriali e consumer, inclusi i convertitori DC-DC ad alta efficienza, i convertitori AC-DC ad alta efficienza, gli alimentatori e gli azionamenti dei motori. 

I nuovi MOSFET usano il processo a bassa tensione con struttura trench U-MOS IX-H di ultima generazione di Toshiba per combinare la più bassa resistenza di ON sul mercato con un numero ridotto di cariche di uscita, supportando prestazioni efficienti ad alta velocità. In relazione al dispositivo, la RDSon (@VGS=10V) massima varia da 0,80mΩ a 7,5mΩ.

La nuova struttura riduce l’indice di prestazioni per la cifra di merito RDS(ON) * Qsw, migliorando le prestazioni di commutazione ad un livello che supera gli attuali prodotti di Toshiba. Le perdite in uscita sono migliorate con la riduzione della carica di uscita, che può contribuire ad assicurare un’efficienza superiore del sistema. Inoltre, le strutture delle celle usate nei nuovi MOSFET sono ottimizzate per sopprimere i picchi di tensione e le oscillazioni durante la commutazione, contribuendo a ridurre le EMI del sistema.

I principali tipi di package sono SOP-Advance 5 x 6mm e TSON-Advance 3x3mm. Tutti i nuovi dispositivi supportano unità con livelli logici di 4,5V.

https://toshiba.semicon-storage.com

 

 

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