Toshiba Lancia i MOSFET di Potenza a Canale N da 100V


Toshiba Electronics Europe (TEE) ha esteso la propria serie di dispositivi U-MOS VIII-H con due MOSFET di potenza a canale N a bassa tensione. I dispositivi sono indicati per applicazioni che includono i caricatori rapidi, gli alimentatori a commutazione e i convertitori DC-DC. Entrambi i MOSFET di potenza a canale N da 100V supportano le unità a livello logico a 4,5V per caricatori rapidi.

Con la popolarità e l’evoluzione dei caricatori rapidi, sono richiesti MOSFET di potenza con prestazioni superiori per l’uso nei rettificatori al lato del secondario. I nuovi MOSFET utilizzano il processo con struttura trench a bassa tensione per ottenere prestazioni all’avanguardia sul mercato in termini di resistenza di ON e di alta velocità. 

La struttura avanzata del semiconduttore migliora la Figura di Merito (FoM) fondamentale (RDSon x Qsw ), migliorando di conseguenza le prestazioni nelle applicazioni di commutazione. Le perdite in uscita sono migliorate grazie alla riduzione della carica in uscita, contribuendo ad aumentare l’efficienza del sistema.

Il dispositivo TPH6R30ANL assicura la gestione della corrente (ID) fino a 45A e una RDS(ON) di appena 6,3mOhm, mentre il TPH4R10ANL è caratterizzato da 70A e da 4,1mOhm.

Il supporto all’unità di livello logico a 4,5V consente il pilotaggio senza buffer dall’IC controllore, contribuendo a ridurre il consumo di potenza. Inoltre, i dispositivi sono compatibili con gli alimentatori ad alta tensione di uscita richiesti nelle applicazioni legate al protocollo USB 3.0. Il package standard SOP-Advance da 5x6mm aiuta a ridurre lo spazio richiesto su PCB.

www.toshiba.semicon-storage.com

 

 

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