Il primo MOSFET SiC di Littelfuse


Littelfuse ha presentato la sua prima serie di MOSFET in carburo di silicio (SiC), l’ultima novità nella linea di semiconduttori di potenza dell’azienda, che è in continua espansione. A marzo Littelfuse ha compiuto un altro passo in avanti verso la leadership di settore nel campo dei semiconduttori di potenza grazie a un investimento in Monolith Semiconductor Inc.

La serie LSIC1MO120E0080, con un valore nominale di tensione di 1200 V e bassissima resistenza (80 mΩ), è il primo MOSFET SiC progettato, sviluppato e prodotto in serie che sarà generato da questa collaborazione.  Il dispositivo è ottimizzato per applicazioni di commutazione ad alta frequenza e presenta una combinazione di perdite di commutazione bassissime e velocità di commutazione altissime senza precedenti nelle soluzioni tradizionali di transistor di potenza.

Se la si confronta con dispositivi in silicio con il medesimo valore nominale, la serie di MOSFET SiC consente un’efficienza energetica decisamente maggiore, spazio e peso del sistema ridotti e una maggiore densità di potenza in sistemi di elettronica di potenza. Offre inoltre il massimo della solidità e prestazioni eccezionali, anche a temperature di funzionamento elevate (150 °C).

Le applicazioni tipiche per questi MOSFET SiC includono sistemi di conversione di potenza come invertitori solari, alimentatori in modalità di commutazione, gruppi di continuità, unità di motori, convertitori CC/CC ad alta tensione, caricatori per batterie e riscaldamento a induzione.

La nostra nuova serie di MOSFET SiC è un’importante pietra miliare nel nostro viaggio per diventare un fornitore leader di componenti nel settore dei semiconduttori di potenza” ha affermato Michael Ketterer, responsabile marketing dei prodotti della divisione Semiconduttori di potenza di Littelfuse. “La nostra rete di supporto per l’applicazione dei MOSFET SiC è pronta ad aiutare i clienti a migliorare le prestazioni dei sistemi esistenti e ad assistere chi sta sviluppando nuovi prodotti di conversione di potenza“.

I MOSFET SiC della serie LSIC1MO120E0080 presentano questi vantaggi chiave:

  • La commutazione ultra-rapida supporta una maggiore efficienza e una maggiore densità di potenza.
  • Le minori perdite di commutazione consentono maggiori frequenze di commutazione.
  • ​Le temperature di funzionamento più alte consentono una maggiore solidità del dispositivo in una più ampia gamma di applicazioni ad alte temperature.

La serie di MOSFET SiC LSIC1MO120E0080 è disponibile nella confezione TO-247-3L.

http://littelfuse.com

 

Lascia un commento

Il tuo indirizzo email non sarà pubblicato. I campi obbligatori sono contrassegnati *

Ricevi un avviso se ci sono nuovi commenti. Oppure iscriviti senza commentare.