Post taggati con "MOSFET"

LTC7003, driver veloce protetto fino a 60V per MOSFET a canale N sul lato alto

LTC7003, driver veloce protetto fino a 60V per MOSFET a canale N sul lato alto
Analog Devices annuncia l’LTC7003, un driver per MOSFET a canale N ad alta velocità per il lato alto che funziona con una tensione di alimentazione fino a 60V. La pompa di carica interna abilita uno switch esterno per MOSFET a canale N in modo che rimanga costantemente acceso. Il potente gate driver da...

LTC7000/-1, driver da 150V protetto sul lato alto per MOSFET a canale N

LTC7000/-1, driver da 150V protetto sul lato alto per MOSFET a canale N
Analog Devices annuncia l’LTC7000/-1, un driver per MOSFET a canale N che funziona con una tensione di alimentazione fino a 150V. La pompa di carica interna consente a uno switch esterno per MOSFET a canale N di rimanere costantemente acceso. Il potente gate driver dell’LTC7000/-1 può pilotare i MOSFET con elevata capacità del...

MOSFET di potenza a canale N da 40V/45V con la più bassa resistenza di ON sul mercato

MOSFET di potenza a canale N da 40V/45V con la più bassa resistenza di ON sul mercato
Toshiba Electronics Europe ha ampliato la propria serie U-MOS IX-H di MOSFET di potenza a canale N con i nuovi prodotti da 40V e da 45V che forniscono i valori più bassi di resistenza di ON sul mercato e prestazioni di velocità elevate. I nuovi prodotti – nove versioni da 40V e cinque...

G3VM-61VY2 e G3VM-351VY, nuovi relè MOSFET potenziati e convenienti

G3VM-61VY2 e G3VM-351VY, nuovi relè MOSFET potenziati e convenienti
Omron Electronic Components Europe ha lanciato due nuovi relè MOSFET per commutazioni di uso generico, economicamente vantaggiosi e con prestazioni elevate, che includono anche una maggiore rigidità dielettrica. Questi dispositivi per impieghi generici sono adatti per un’ampia gamma di applicazioni quali building automation, sicurezza, sistemi di comunicazione, controllo industriale e sistemi alimentati a...

Moduli IPM nano SLLIMM con maggior efficienza, flessibilità e potenza fino a 100W

Moduli IPM nano SLLIMM con maggior efficienza, flessibilità e potenza fino a 100W
Facendo ricorso ai MOSFET da 500 V di nuova generazione in grado di garantire un più elevato livello di efficienza, STMicroelectronics ha ampliato la serie di moduli Intelligent Power Modules (IPM) nano SLLIMM per il pilotaggio di motori, integrando nuove funzionalità e aggiungendo nuovi contenitori che consentono una miniaturizzazione più spinta. I moduli...

Da Omron il più piccolo relè MOSFET del mondo per carichi fino a 1,5A

Da Omron il più piccolo relè MOSFET del mondo per carichi fino a 1,5A
Omron Electronic Components Europe ha presentato quello che probabilmente è il più piccolo relè MOSFET in assoluto: con un ingombro di soli 2.9mm² è in grado di gestire un carico di 1,5A. Studiato per aiutare i progettisti a limitare il più possibile gli ingombri sulle schede PCB di strumentazioni di collaudo, comunicazione e...

TK160F10N1L, MOSFET di potenza 100V/160A con ridotta tensione di soglia Vth

TK160F10N1L, MOSFET di potenza 100V/160A con ridotta tensione di soglia Vth
Toshiba Electronics Europe ha lanciato un nuovo MOSFET di potenza da 100V e 160A che è caratterizzato da una specifica più restrittiva sulla tensione di soglia (Vth) rispetto ai dispositivi precedenti. Una specifica più restrittiva sulla tensione di soglia è estremamente importante nelle applicazioni a commutazione, e il componente TK160F10N1L offre un valore...

TK1R5R04PB, il primo MOSFET in package D2PAK+ con RDSon di 1,5 mOhm

TK1R5R04PB, il primo MOSFET in package D2PAK+ con RDSon di 1,5 mOhm
Toshiba Electronics Europe ha ampliato la propria famiglia di MOSFET di potenza per automotive con il TK1R5R04PB – il primo dispositivo alloggiato nel proprio nuovo package D2PAK+ a bassa resistenza. Pur presentando lo stesso ingombro rispetto al package D2PAK (o TO-263) convenzionale, D2PAK+ offre una resistenza ridotta. Ciò è possibile grazie alla presenza...

TPH1R306PL, MOSFET di potenza della famiglia U-MOS IX-H con RDSon di appena 1 mOhm

TPH1R306PL, MOSFET di potenza della famiglia U-MOS IX-H con RDSon di appena 1 mOhm
Toshiba Electronics Europe ha ampliato ulteriormente la propria famiglia U-MOS IX-H di MOSFET compatti, ad alta efficienza e ad alta velocità di commutazione con un nuovo dispositivo SMD che offre un valore massimo di VDSS di 60V e una corrente di drain massima di 100A. Il dispositivo TPH1R306PL è fornito in un package...

TK3R1E04PL, TK3R1A04PL nuovi MOSFET a canale N da 40V ad alta efficienza

TK3R1E04PL, TK3R1A04PL nuovi MOSFET a canale N da 40V ad alta efficienza
Toshiba Electronics Europe ha aggiunto due nuovi dispositivi a canale N alla propria famiglia U-MOS IX-H di MOSFET a commutazione ad alta efficienza e ad alta velocità. I dispositivi TK3R1E04PL e TK3R1A04PL possono aiutare i progettisti a migliorare le prestazioni e a ridurre il consumo di potenza in applicazioni di alimentazione come i...

La serie CoolMOS P7 da 800V di Infineon stabilisce nuovi record in termini di efficienza e prestazioni termiche

La serie CoolMOS P7 da 800V di Infineon stabilisce nuovi record in termini di efficienza e prestazioni termiche
Infineon Technologies introduce la serie di MOSFET di potenza 800 V CoolMOS P7 basata sulla tecnologia superjunction che combina prestazioni all’avanguardia con una facilità d’uso eccezionale. Questa nuova famiglia di prodotti è particolarmente indicata per applicazioni SMPS a bassa tensione, consentendo di rispondere alle esigenze di mercato in fatto di prestazioni, facilità di...

Nuovi MOSFET a canale N da 60V e 100 V con dimensioni ridotte per il settore automotive

Nuovi MOSFET a canale N da 60V e 100 V con dimensioni ridotte per il settore automotive
Toshiba Electronics Europe ha annunciato due nuovi MOSFET a canale N compatti per la commutazione del carico in applicazioni automotive. I dispositivi SSM3K341R da 60V e SSM3K361R da 100V forniscono una resistenza di ON al vertice di mercato e sono qualificati in base allo standard AEC-Q101. Componenti ideali per l’uso nella gestione dell’alimentazione, incluse...

SSM6L61NU e SSM6N61NU, MOSFET “2 in 1” per dispositivi mobili

SSM6L61NU e SSM6N61NU, MOSFET “2 in 1” per dispositivi mobili
Toshiba Electronics Europe ha annunciato l’introduzione di due nuovi MOSFET “2 in 1”: i dispositivi SSM6L61NU e SSM6N61NU. Si tratta di transistor MOSFET, disponibili in compatti contenitori SOT-1118 (UDFN6), che offrono un’eccellente dissipazione termica e una bassa resistenza di conduzione tra drain e source [RDS(ON) = 25 mΩ (tipica) nel canale N, VGS...

RDSon senza confronti per il nuovo MOSFET Toshiba da 40 V a canale N per automotive

RDSon senza confronti per il nuovo MOSFET Toshiba da 40 V a canale N per automotive
Toshiba Electronics Europe ha ampliato la sua gamma di MOSFET di potenza destinati ad applicazioni automobilistiche con un nuovo dispositivo da 40 V a canale N a bassa resistenza di conduzione inserito in un contenitore TO-220SM(W). Il transistor TKR74F04PB è particolarmente adatto per realizzare applicazioni automobilistiche di diverso tipo ad alta potenza, come...

LTC7813, controller DC/DC boost + buck sincrono a due uscite da 60V e basso IQ

LTC7813, controller DC/DC boost + buck sincrono a due uscite da 60V e basso IQ
Linear Technology presenta l’LTC7813, un controller sincrono DC/DC a bassa corrente di quiescenza e a due uscite (boost + buck). Quando collegati in cascata, i controller indipendenti step-up (boost) e step-down (buck) regolano la tensione di uscita da una tensione di ingresso che può essere superiore, inferiore o uguale alla tensione di uscita,...

MOSFET a canale N da 800 V e 900 V con una bassa RDS(ON)  da Toshiba

MOSFET a canale N da 800 V e 900 V con una bassa RDS(ON)  da Toshiba
Toshiba Electronics Europe ha presentato una nuova gamma di MOSFET ad alta velocità e alta tensione estremamente efficienti per realizzare regolatori di tensione a commutazione (switching). Disponibili nelle versioni con tensioni nominali di 800 V e 900 V, i quattro dispositivi a canale N hanno una resistenza di conduzione (RDS(ON)) tipica che arriva...

Efficienza di conversione al top con i MOSFET di potenza MDmesh DM2 di ST

Efficienza di conversione al top con i MOSFET di potenza MDmesh DM2 di ST
I nuovi MOSFET di potenza a canale N della famiglia MDmesh DM2 di STMicroelectronics offrono un’opportunità unica ai progettisti di raggiungere la più alta efficienza energetica nei circuiti di alimentazione di potenza a bassa tensione per computer, reti di telecomunicazione, sistemi industriali e dispositivi consumer. La crescente mole di dati dovuti alla digitalizzazione...

TPD7104AF, gate-driver automobilistico con MOSFET di potenza a canale N high-side 

TPD7104AF, gate-driver automobilistico con MOSFET di potenza a canale N high-side 
Toshiba Electronics Europe annuncia un nuovo circuito di pilotaggio di gate (gate-driver) per i transistor MOSFET a canale N utilizzati nel ramo superiore (high-side) dei circuiti di conversione di potenza che può essere controllato da un segnale logico a 3,3V. Il dispositivi è dotato internamente di funzioni di diagnosi e di protezione dai cortocircuiti,...