SmartNAND™ a 24 nanometri (nm) da Toshiba


Toshiba Electronics Europe amplia il catalogo di memorie flash NAND con la serie SmartNAND™ a 24 nanometri (nm) di nuova generazione. SmartNAND integra la moderna tecnologia di processo flash NAND a 24 nm con un chip di controllo con codice a correzione di errore (Error Correction Code, ECC), disponibile in diverse versioni con capacità da 4 a 64 gigabyte.
Questa nuova serie è espressamente progettata per sgravare il processore host dalle funzioni di controllo e correzione errori, riducendo al minimo le modifiche al protocollo. I chip ad alta densità sono sempre più richiesti in dispositivi ad elevata risoluzione video e grande capacità di memorizzazione e in questo importante segmento di mercato Toshiba è riconosciuta come azienda innovatrice. L’introduzione di SmartNAND ne è un’ulteriore conferma che ne rafforza la posizione di leadership sul mercato.
SmartNAND semplifica il progetto lato host e l’utilizzo della tecnologia NAND avanzata in una gamma di applicazioni tra cui lettori multimediali portatili, tablet PC, TV digitali, decoder e altri dispositivi che richiedono memorie non volatili ad alta densità. SmartNAND consente al sistemista di gestire in maniera diretta la NAND tramite un controller NAND standard o personalizzato e confina la correzione degli errori all’interno del chip NAND, pertanto consente di velocizzare la progettazione e commercializzazione di nuovi prodotti, la possibilità di accedere a geometrie all’avanguardia e a costi di progetto più bassi rispetto alle soluzioni flash NAND tradizionali con sistema ECC esterno.
La nuova linea SmartNAND di prodotti a 24 nm è destinata a sostituire i dispositivi da 32 nm delle generazione corrente. Il processo avanzato e la presenza di un controller veloce e di un’interfaccia interna consentono di ottenere velocità di lettura e scrittura più elevate e migliorano le prestazioni generali del sistema. Ottimizzato per soddisfare una vasta scelta di obiettivi di progetto, SmartNAND supporta diverse velocità di lettura e scrittura, in particolare quattro modalità di scrittura e due modalità di lettura.
Utilizzando l’ormai consolidata interfaccia NAND di base, la famiglia SmartNAND comprende nuove caratteristiche che sono state ottimizzate per applicazioni ad alta capacità ed elevate prestazioni. La gestione degli errori di bit è fondamentale affinché i prodotti digitali possano mantenere livelli accettabili di prestazione e affidabilità. L’integrazione della gestione degli errori del dispositivo NAND, all’interno di un unico contenitore, consente agli utenti Toshiba di sfruttare memorie flash avanzate ad alta capacità e in grado di offrire un’eccellente gestione degli errori.
I campioni della nuova serie SmartNAND saranno disponibili a partire dalla metà di aprile, mentre la produzione in serie avrà inizio nel secondo trimestre (aprile-giugno) del 2011.

Codice prodotto Capacità Contenitore Disponibilità
campioni dal
Produzione
in serie
THGVR1G5D1HTA00 4GB TSOP 48 pin maggio 2011 2° trimestre 2011
THGVR1G5D1HLA09 4GB LGA 52 contatti agosto 2011 3° trimestre 2011
 THGVR1G6D1GTA00 8GB TSOP 48 pin aprile 2011 2° trimestre 2011
THGVR1G6D1GLA09 8GB                 LGA 52 contatti luglio 2011   3° trimestre 2011
THGVR1G7D2GTA00 16GB TSOP 48 pin settembre 2011 4° trimestre 2011
THGVR1G7D2GLA09 16 GB LGA 52 contatti maggio 2011 2° trimestre 2011
THGVR1G8D4GLA09 32 GB LGA 52 contatti giugno 2011                    3° trimestre 2011
THGVR1G9D8GLA09 64 GB LGA 52 contatti       agosto 2011                    3° trimestre 2011

 

 

 

Caratteristiche chiave
1. La correzione di errore integrata e l’avanzato processo a 24 nm consentono operazioni più rapide: le letture sono 1,9 volte più veloci e le scritture 1,5 più veloci rispetto ai dispositivi della generazione attuale.
2. Toshiba SmartNAND offre una vasta scelta di velocità di lettura e scrittura in modo da ottimizzare le prestazioni: saranno disponibili quattro velocità di lettura e due velocità di scrittura. È inoltre disponibile la modalità di risparmio energetico per i sistemi a minor consumo.
3. Toshiba SmartNAND utilizza una normale interfaccia NAND di base, consentendo una sostituzione agevole di memorie NAND standard. SmartNAND può essere applicata ai controllori host esistenti, eventualmente con supporto di programmi driver. Ciò semplifica lo sviluppo di sistema, consentendo ai costruttori di minimizzare i costi di sviluppo e migliorare il time-to-market dei prodotti nuovi e degli upgrade.

Caratteristiche del prodotto
• Interfaccia:  Interfaccia standard per memoria flash NAND
• Dimensione pagina: 8 kbyte
• Tensione: Vcc = 2,7 ÷ 3,6 V
• Modalità di lettura e scrittura; 4 modalità di lettura, 2 modalità di scrittura; La modalità di risparmio energetico è applicabile a tutte le funzioni
• Modalità normale: MLC (2 bit/cella)
• Modalità affidabile:In modalità affidabile opera come pseudo SLC, mentre il lato host può suddividere la superficie a blocchi o chip per la modalità normale o per la modalità affidabile.
• Contenitore: TSOP a 48 pin (12 mm x 20 mm x 1,2 mm) oppure LGA a 52 contatti (14 mm x 18 mm x 1,0 mm)
http://www.toshiba-components.com/

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