Toshiba annuncia una nuova generazione di MOSFET di potenza a supergiunzione


Toshiba Electronics Europe (TEE) ha annunciato una nuova generazione di MOSFET di potenza a supergiunzione (SuperJunction, SJ). La tecnologia DTMOS-IV permette di raggiungere ottimi risultati con alimentatori a commutazione, ballast per lampade e altri dispositivi di potenza che richiedono un funzionamento ad alta velocità, insieme a un’elevata efficienza e a un basso rumore elettromagnetico.

Poiché i MOSFET a supergiunzione offrono  una resistenza di conduzione molto bassa, inferiore ai valori limite imposti dal silicio, essi permettono di miniaturizzare i dispositivi e risparmiare spazio su scheda senza incidere sulla perdita di potenza. Di conseguenza, il nuovo processo DTMOS-IV di Toshiba – utilizzato nella nuova serie di MOSFET di potenza a 600 V ad alta velocità ed elevata efficienza – offre una resistenza di conduzione fino al 40% più bassa rispetto ai prodotti DTMOS di prima generazione, a parità di dimensioni del chip. Ciò significa che i progettisti possono scegliere tra un MOSFET a 600 V in un contenitore TO-220SIS con una RDS(ON) di soli 0,065  Ω, o un dispositivo simile in un contenitore TO-3P(N) con una RDS(ON) di soli 0,04 Ω.

Oltre ad abbattere la resistenza di conduzione, la tecnologia DTMOS-IV consente a Toshiba di minimizzare la capacità di uscita (Coss) dei MOSFET per un funzionamento ottimizzato degli alimentatori a commutazioni in condizioni di basso carico. Inoltre, l’ottimizzazione della capacità di gate-drain (Cgd) offre un migliore controllo della velocità di commutazione dv/dt, mentre l’eccellente fattore di merito RDS(ON)*Qg  permette una commutazione altamente efficiente. Infine, grazie ai minori valori di dv/dt, la tecnologia DTMOS-IV riduce la tendenza all’ondulazione (ringing) dei circuiti di commutazione ad alta velocità.

La tecnologia DTMOS-IV sfrutta un processo di riempimento a trincea profonda che permette di ottenere una riduzione del passo laterale nella supergiunzione, con conseguente ottimizzazione delle prestazioni generali di sistema.

I primi MOSFET basati sulla tecnologia DTMOS-IV sono oggi disponibili in una vasta gamma di contenitori tra cui DPAK, IPAK, D2PAK, I2PAK, TO-220, TO-220SIS, TO-247, TO-3P(N) e TO-3P(L).
www.toshiba-components.com

Lascia un commento

Il tuo indirizzo email non sarà pubblicato. I campi obbligatori sono contrassegnati *

Ricevi un avviso se ci sono nuovi commenti. Oppure iscriviti senza commentare.