Nuove soluzioni Fairchild Semiconductor per le batterie dei dispositivi mobili


Fairchild Semiconductor propone ai progettisti di telefoni cellulari e altre applicazioni ultra-portatili nuovi MOSFET PowerTrench a canale-P adatti a risolvere le esigenze legate alla commutazione del carico o di batterie di piccole dimensioni mantenendo eccellenti caratteristiche termiche.
I modelli FDMA905P e FDME905PT implementano MOSFET a bassa resistenza on-state: si tratta di dispositivi che offrono un’eccezionale performance termica in rapporto alle loro dimensioni fisiche, risultando ideali anche per applicazioni lineari. Per maggiori informazioni è possibile visitare i seguenti indirizzi:
http://www.fairchildsemi.com/pf/FD/FDMA905P.html
http://www.fairchildsemi.com/pf/FD/FDME905PT.html

Caratteristiche e vantaggi:

FDMA905P:

Package MicroFET da 2mm x 2mm a basso profilo – max. 0,8mm
Bassa RDS(ON) garantita (MAX RDS(ON) = 16mΩ a VGS = -4.5V, ID = -10A)
Eccellenti performance termiche (RΘJA = 52 gradi C/W)

FDME905PT:

Package Thin MicroFET da 1,6mm x 1,6mm a profilo ultrabasso – max. 0,55mm
Bassa RDS(ON) garantita (MAX RDS(ON) = 22mΩ a VGS = -4.5V, ID = -8A)
Eccellenti performance termiche (RΘJA = 60 gradi C/W)

Nell’ambito della propria strategia dedicata al segmento mobile e in stretta collaborazione con i propri clienti, Fairchild ha inoltre sviluppato un prodotto per la gestione dell’alimentazione rivolto alla porzione RF di tablet e palmari: il dispositivo FAN5904, un buck converter sincrono ad alta potenza ed elevata efficienza che supporta gli amplificatori di potenza (PA) GSM/GPRS/EDGE, 3G/3.5G e 4G. Questo dispositivo riduce i consumi di energia nei dispositivi mobili wireless estendendo l’autonomia di connessione di oltre 60 minuti. Disponibile come soluzione compatta dall’ingombro inferiore a 23,5mm2, il modello FAN5904 riduce anche la temperatura operativa dei PA di almeno 20ºC mantenendo le performance RF attese.

Il dispositivo FAN5904 supporta entrambe le modalità high e low power rispettivamente per gli amplificatori PAM GSM/EDGE e PA 3G/3.5G e 4G. Nella modalità high power viene aumentata la potenza di trasmissione GSM con la possibilità di raggiungere fino a 35dBm in uscita da PAM GSM/EDGE anche in presenza di un errore di mismatch dell’antenna con un ROS di 3:1. Il dispositivo funziona in modalità PWM con una frequenza di switching di 3MHz per gestire 2,3A di corrente di uscita arrivando a un’efficienza massima del 92%. Nel caso degli amplificatori PA 3G/3.5G e 4G, il dispositivo FAN5904 funziona in modalità low power con una potenza massima in uscita di 29dBm supportando condizioni ROS di 3:1.

La frequenza di commutazione del dispositivo FAN5904 in modalità low power è 6MHz in modalità PWM per carichi di corrente più intensi. In presenza di carichi più leggeri inferiori a 100mA il dispositivo commuta alla modalità PFM per ottimizzare ulteriormente l’efficienza quando la potenza di uscita dell’amplificatore PA è inferiore a 20dBm.

Poiché il dispositivo FAN5904 opera a 3MHz in modalità high power e a 6MHz in modalità low power, può essere implementato con un induttore 2520 da 470nH e due condensatori 1508 da 4,7µF sull’uscita ottenendo un ingombro su scheda inferiore a 20,5mm2. Per ridurre ulteriormente l’area occupata può essere invece utilizzato un induttore 2016 da 470nH portando la superficie richiesta dalla soluzione FAN5904 complessiva a meno di 15mm2.

Il chip FAN5904 è disponibile in un package WLCSP-16 compatto a basso profilo da 1,71mm x1,71mm.
I datasheet in formato PDF sono disponibili ai seguenti indirizzi:

http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMA905P.pdf

http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDME905PT.pdf

http://www.fairchildsemi.com/ds/FA/FAN5904.pdf

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