Nuovi MOSFET FemtoFET™ di TI: minuscoli e con bassissima resistenza drain-source


Femtofet

Texas Instruments ha introdotto il più piccolo MOSFET a bassa RDSON, esistente sul mercato. Questo particolare transistor MOS è ideale per le applicazioni dove lo spazio è molto limitato, quali smartphone e tablet.

La nuova serie di transistor FemtoFET​​™ MOSFET è caratterizzata da un packaging minuscolo e vanta una resistenza inferiore ai 100 milliohm. Ulteriori informazioni – compresi i modelli SPICE – sono disponibili al seguente link: www.ti.com/femtofet-pr.

Le tre versioni a canale P e le tre versioni a canale P di MOSFET FemtoFET ​​utilizzato un package di tipo LGA (land grid array) che consente di ridurre le dimensioni sino al 40 per cento rispetto al packaging di tipo CSP (chip scale packaging).

I modelli CSD17381F4 e CSD25481F4 presentano una bassissima resistenza drain-source in conduzione, minore di 100 milliohm, che è inferiore del 70% rispetto ad analoghi modelli attualmente presenti sul mercato. Tutti i modelli presentano un livello di protezione dalle scariche elettrostatiche (ESD) superiore a 4.000 volt.

Tabella riassuntiva dei sei modelli:

 

Part Number

Channel

BVdss(V)

Vgs(V)

Typical Rdson mohm)

Id @Ta =
25°C(A)

1.8V

2.5V

4.5V

CSD17381F4

N

30

12

160

110

90

3,1

CSD17483F4

N

30

12

370

240

200

1,5

CSD13381F4

N

12

8

310

170

140

2,1

CSD25481F4

P

-20

-12

395

145

90

-2,5

CSD25483F4

P

-20

-12

580

338

210

-1,6

CSD23381F4

P

-12

-8

480

250

150

-2,3

 

Questa nuova famiglia di  MOSFET si aggiunge alla famiglia NexFET power MOSFETS che include il modello a canale P CSD25213W10 e il modello a canale N CSD13303W1015, dispositivi che trovano applicazione nel campo delle apparecchiature portatili, inclusi gli smartphone. 

Texas Instruments offre una vasta gamma di prodotti per la gestione di potenza pensata per risparmiare spazio sulle board e ridurre il consumo energetico nelle applicazioni portatili, come il regolatore lineare di tensione (LDO) a basso drop-out ed elevata corrente LP5907 e il front-end per la gestione dell’alimentazione (PMU) TPS65090.

Caratteristice  e vantaggi della nuova famiglia FemtoFET:

  • Resistenza in conduzione inferiore a 100 milliohm, del 70% più bassa rispetto ad analoghi dispositivi concorrenti per un risparmio energetico ed una maggiore durata della batteria.
  • Dimensioni contenute (0,6 mm x 0,1 mm x 0,35 mm) grazie al contenitore LGA, del 40% più piccolo rispetto ai contenitori CSP.
  • Corrente continua di drain compresa tra 1,5 A e 3,1 A, valore che risulta almeno due volte superiore rispetto a dispositivi di dimensioni simili presenti sul mercato.

Disponibili in volumi presso i distributori Texas Instruments, questi MOSFET hanno un prezzo compreso tra 0,06 e 0,10 dollari per quantitativi di 1.000 pezzi.

www.ti.com

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