Toshiba estende la famiglia di diodi Schottky a bassissima tensione diretta


CCS15S30_Toshiba

Toshiba Electronics ha esteso la sua famiglia di diodi a barriera Schottky a montaggio superficiale SBD (Surface-mount Barrier Diode) con il nuovo dispositivo CxS15S30 realizzato sfruttando il più recente processo Toshiba per semiconduttori, che migliora le prestazioni in termini di tensione diretta e di corrente inversa.

Il diodo SBD CxS15S30 offre una corrente raddrizzata media nominale di 1,5 A e una tensione inversa di picco nominale di 30 V. È disponibile nei contenitori LGA CST2C ultracompatti (CCS15S30) di soli 1,6 mm x 0,8 mm x 0,48 mm e nel classico contenitore SOD-323 (CUS15S30).

Il nuovo diodo Toshiba è particolarmente adatto in applicazioni in cui lo spazio è limitato e in cui la gestione di correnti elevate e una bassa caduta di tensione diretta (VF) sono dei requisiti chiave.

Il diodo CxS15S30 offre l’elevata efficienza richiesta dai sistemi a batteria e da altre apparecchiature in cui il consumo di energia è fondamentale. Una tensione diretta (VF) tipica di soli 0,39 V (con assorbimento pari a 1,5 A) e una corrente inversa tipica di soli 200 µA garantiscono un funzionamento con perdite minime nella  maggior parte delle comuni applicazioni come i sistemi di retroilluminazione a LED e i circuiti di prevenzione dell’inversione della corrente nei caricabatterie.

Con una capacità di diodo tipica totale di soli 200 pF, il dispositivo CxS15S30 può anche essere utilizzato nei sistemi a commutazione ad alta velocità in genere.

www.toshiba-components.com

 

Lascia un commento

Il tuo indirizzo email non sarà pubblicato. I campi obbligatori sono contrassegnati *

Ricevi un avviso se ci sono nuovi commenti. Oppure iscriviti senza commentare.