MOSFET Trench di ultima generazione ultra-compatto da 40V


Toshiba Electronics Europe ha esteso la propria linea di MOSFET basati sul proprio processo di ultima generazione U-MOS-IX-H trench con un nuovo dispositivo ultra-compatto da 40V che presenta un diodo a recupero graduale (SRD).

Grazie al diodo SRD integrato, il dispositivo TPH1R204PB è in grado di mantenere molto bassi i picchi di tensione generati fra il drain e il source durante la commutazione. Ciò rende il MOSFET idoneo per la rettificazione sincrona al lato secondario degli alimentatori a commutazione che richiedono EMI ridotte. Le applicazioni di riferimento includono i convertitori AC-DC e DC-DC, e inoltre gli azionamenti dei motori, ad esempio negli utensili cordless.

Il TPH1R204PB è un dispositivo a canale N con una resistenza di on massima (RDS(ON)) di soli 1,2mΩ (@ VGS = 10V). La carica nominale in uscita (QOSS) è pari ad appena 56nC. Il dispositivo è fornito in un package SOP avanzato che misura appena 5mm x 6mm x 0.95mm.

www.toshiba.semicon-storage.com

 

 

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