Infineon acquisisce Wolfspeed per 850 milioni di dollari in contanti

Infineon Technologies e Cree hanno annunciato di aver stipulato un accordo definitivo che prevede l’acquisto da parte di Infineon della divisione “Wolfspeed Power and RF” (“Wolfspeed”) di Cree. L’accordo comprende anche la tecnologia e il relativo business dei wafer in

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I nuovi prodotti per l’elettronica di potenza di Toshiba a PCIM Europe 2016

PCIM Europe è la più importante manifestazione al mondo dedicata all’elettronica di potenza, alle tecniche di azionamento intelligente nonché alle energie rinnovabili e alla gestione energetica; all’edizione del 2016 che si è tenuta a Norimberga dal 10 al 12 maggio,

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Littelfuse presenta la nuova serie di diodi Schottky LFUSCD in carburo di silicio (SiC)

Littelfuse ha presentato la più recente aggiunta alla propria linea di prodotti di potenza a semiconduttori, la serie LFUSCD di diodi Schottky in carburo di silicio (SiC), presso la fiera PCIM (Power Conversion and Intelligent Motion) Europe 2016 di Norimberga.

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Nuovi transistor RF di potenza con tecnologia GaN su SiC per reti cellulari

Infineon Technologies ha presentato all’ultima edizione di EuMW di Parigi i suoi primi dispositivi appartenenti ad una famiglia di transistor RF di potenza basati sulla tecnologia nitruro di gallio (GaN) su carburo di silicio (SiC). Questi dispositivi, che fanno parte della

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